SK海力士在台积电北美技术论坛上展示了多款DRAM内存新品，包括先进的HBM内存和标准DIMM模组。HBM方面，展示了采用Advanced MR-MUF键合技术的16Hi HBM内存模型，以及HBM3E和HBM4实物。HBM4支持16Hi堆叠，单堆栈容量达48GB，I/O速度8.0Gbps，带宽2.0TB/s，逻辑裸片采用台积电先进制程。DIMM模组方面，展示了速率达8000MT/s的RDIMM，以及速度达12800MT/s的MRDIMM，容量最高可达256GB。

🚀SK海力士作为首家在HBM领域实现16层键合的内存企业，展示了采用Advanced MR-MUF键合技术的16Hi HBM内存模型，预示着HBM技术的新高度。

💾HBM4内存支持16Hi堆叠，单堆栈容量高达48GB，I/O速度达到8.0Gbps，整体带宽为2.0TB/s，逻辑裸片采用台积电先进制程，性能显著提升。

💡SK海力士展示了多种RDIMM，速率均达到8000MT/s，包括基于1c nm制程的64GB型号、采用3DS键合堆叠技术的256GB型号，以及采用较旧制程的96GB型号。

⚙️针对先进服务器的MRDIMM，SK海力士推出了三款速度可达12800MT/s的产品，容量从64GB到256GB不等，满足不同服务器的需求。

IT之家 4 月 27 日消息，SK 海力士在当地时间 4 月 23 日举行的台积电 2025 年北美技术论坛上展示了多款 DRAM 内存新品，包括先进的 HBM 内存和标准 DIMM 模组。

其中在 HBM 部分，作为首家在 HBM 领域实现 16 层键合的内存企业，SK 海力士带来了采用 Advanced MR-MUF 键合技术的 16Hi HBM 内存模型。

而在具体 HBM 内存产品上，SK 海力士的 HBM3E 和 HBM4 实物也现身论坛，其中 HBM4 内存目前支持 16Hi 堆叠，单堆栈容量可达 48GB，I/O 速度为 8.0Gbps，整体带宽为 2.0TB/s，逻辑裸片 (Logic Die) 部分采用台积电先进制程。

在常规 DIMM 模组部分，SK 海力士则展示了丰富的产品组合。对于一般 RDIMM，此次展出的型号速率都达到了 8000MT/s，包括三款：基于先进 1c nm 制程，最高 64GB 容量；采用 3DS 键合堆叠技术，容量可达 256GB；采用较旧制程，容量 96GB。

对于面向先进服务器的 MRDIMM，SK 海力士则端出了三款速度可达 12800MT/s 的产品：标准板型、基于 1c nm DRAM 的款式容量可达 64GB；同样采用传统板型但基于更旧制程的型号则可达到 96GB；采用更高板型的产品容量能进一步拓展到 256GB。