Cnbeta 03月25日
三星DDR5 CUDIMM内存上市 速率6400MT/s 售价599元
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三星推出的原厂DDR5 CUDIMM内存,以16GB单条模块设计,售价599元。这款内存严格遵循JEDEC标准,采用10nm级工艺和EUV技术,以及HKMG技术,内置8颗16GB的P-Die颗粒。其运行电压1.1V,时序CL52-52-52,数据传输速率6400MT/s,速度提升15%。CUDIMM内存标准JESD323集成了时钟驱动器(CKD),能重新生成稳定时钟信号,提升内存频率和系统稳定性。

💡三星DDR5 CUDIMM内存采用单条16GB模块设计,售价599元,严格遵循JEDEC标准,内部集成了8颗16GB的P-Die颗粒。

⚡️该内存运行电压为1.1V,时序为CL52-52-52,数据传输速率达到6400MT/s,相较传统DDR5内存,速度提升15%。

⚙️三星DDR5 CUDIMM内存采用10nm级工艺、极紫外光刻(EUV)技术和高电介质金属栅极(HKMG)技术,有效提升运行速率并降低功耗。

⏱️CUDIMM内存标准JESD323集成了时钟驱动器(CKD),负责接收CPU或内存控制器的时钟信号,并生成干净、稳定的时钟信号,驱动DRAM芯片。

📈时钟驱动器的集成大幅提升了内存的极限频率,增强了系统的整体稳定性,确保内存在高频率下稳定运行。

三星推出了一款原厂DDR5 CUDIMM内存,采用单条16GB的模块设计,市场售价为599元。这款新型内存严格遵循JEDEC固态存储协会制定的标准,内部集成了8颗16GB的P-Die 颗粒。其运行电压设定为1.1V,时序表现为CL52-52-52,数据传输速率达到了6400MT/s。相较于传统 DDR5内存,在速度方面实现了15%的显著提升。

三星方面介绍,这款内存所采用的P-Die颗粒,运用了10nm级工艺以及极紫外光刻(EUV)技术,并且融入了高电介质金属栅极(HKMG)技术。这些先进技术的应用,不仅有效提升了内存的运行速率,还实现了功耗的降低。

在2024年1月,JEDEC正式发布了CUDIMM内存标准,编号为JESD323。该标准是在传统无缓冲UDIMM内存的基础上发展改进而来,其最大的亮点在于集成了时钟驱动器(CKD)。时钟驱动器承担着接收来自CPU或内存控制器时钟信号的重要任务,并将其重新生成为干净、稳定的时钟信号,以此来驱动DRAM芯片。

这一技术突破意义重大,不仅大幅提升了内存的极限频率,还显著增强了系统的整体稳定性,确保内存能够在更高频率下保持稳定的运行状态。

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