飙叔科技洞察 02月28日
美光首家采用EUV技术制造DDR5 DRAM芯片!
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美光科技宣布已开始向合作伙伴和客户出货1γ(1-gamma)16Gbit DDR5 DRAM芯片,成为首家采用1γ节点的公司。该节点是DRAM工艺技术的第六代,几何尺寸在19nm~10nm之间。1γ DRAM节点将推动从云端到端侧AI设备的创新发展。与前代产品相比,速度提高15%,功耗降低20%以上。1γ节点EUV技术使得晶圆容量密度产出提升30%,提高了美光的经济效益。该内存还包括下一代高K金属栅极CMOS技术,提升了晶体管性能,实现了更高的速率和更小的特征尺寸。

🚀 美光科技率先采用1γ(1-gamma)节点技术,推出16Gbit DDR5 DRAM芯片,标志着DRAM工艺技术进入第六代,最小几何尺寸达到19nm~10nm之间。

💡 采用EUV(极紫外)光刻技术,美光的1γ节点使得晶圆容量密度产出提升30%,显著提高了生产效率和经济效益,满足了行业对更高内存容量的需求。

⚡️ 新一代DDR5 DRAM不仅速度高达9200MT/s,比上一代产品速度提升15%,同时功耗降低20%以上,为各种应用场景提供了更高效的能耗比。

🌐 美光计划将1γ技术应用于整个DRAM系列,包括数据中心DDR5、边缘AI低功耗DRAM、AI PC DDR5 SODIMM以及移动产品和汽车LPDDR5X,覆盖广泛的应用领域。

2025-02-26 18:09 广东

美光首家采用EUV技术制造DDR5 DRAM芯片!

美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ(1-gamma)16Gbit DDR5 DRAM芯片。

美光声称,它是第一个采用1-gamma(1γ)节点的公司,该节点指的是DRAM工艺技术的第六代,最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM,他们放弃了纳米测量,转而采用1x、1y、1z,现在是1α、1β和1γ。

得益于美光此前在1α和 1β DRAM节点的领先优势,1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备(如 AI PC、智能手机和汽车)等未来计算平台的创新发展。同时,通过在全球各制造基地开发1γ节点,美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高达9200MT/s的速度能力,与其前代产品(采用1β技术实现的16Gbit DDR5)相比,速度提高15%,功耗降低20%以上。

与上一代相比,1γ节点EUV技术使得晶圆容量密度产出提升30%,这提高了美光的经济效益,但与1β节点不同,它确实需要使用极紫外(EUV)光刻技术,利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征。该内存还包括下一代高K金属栅极CMOS技术,它提升了晶体管性能,实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸,从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

美光执行副总裁暨首席技术与产品官Scott DeBoer表示:“美光凭借开发专有DRAM技术的专长,结合对EUV光刻技术的战略运用,打造出基于1γ节点的先进内存产品组合,助力推动AI生态系统发展。1γ DRAM节点实现了更高的容量密度产出,彰显了美光卓越的制造实力和效率,并使我们能够扩大内存供应的规模,满足行业日益增长的需求。”

美光计划在其整个DRAM系列中引入1γ。这包括:用于数据中心的DDR5,用于边缘AI的低功耗DRAM,用于AI PC的DDR5 SODIMM,用于移动产品和汽车的LPDDR5X。

美光表示,客户AMD和英特尔已经开始验证1γ DRAM在其服务器和消费处理器中的使用情况。

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