三星在ISSCC 2025大会上宣布，LPDDR5X速率提升至12.7Gbps，再次刷新移动内存性能纪录。此突破归功于“四相自校准环路”和“AC耦合收发器均衡技术”两项专有技术。LPDDR5X旨在满足5G、汽车AR/VR及AI边缘计算等应用对内存性能的需求。三星LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片在1.05伏电压下实现12700 MT/s，即使在0.9伏低电压下也能稳定运行。其超高传输速率和优异能效将为下一代移动设备带来更流畅体验和更强AI算力。

🚀 **速率突破**: 三星LPDDR5X将速率提升至12.7Gbps，刷新移动内存性能纪录，为下一代移动设备提供更强大的内存支持。

💡 **技术创新**: 采用“四相自校准环路”技术，确保高速内存接口中的内部时钟相位对齐，有效解决高速数据传输中的信号衰减和干扰问题。

⚡️ **能效优化**: LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片在1.05伏电压下实现超高传输速率，即使在0.9伏低电压下也能稳定运行，兼顾性能与能效。

快科技2月24日消息，据报道，在ISSCC 2025大会上，三星宣布将LPDDR5X的速率从目前的10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新了移动内存的性能纪录。

这一突破性进展得益于两项专有的电路级技术：“四相自校准环路”和“AC耦合收发器均衡技术”，为下一代移动设备提供了更强大的内存支持。

LPDDR5X是JEDEC固态存储协会于2021年发布的LPDDR5可选扩展标准，专注于提升性能、降低功耗并增强灵活性。它旨在满足5G通信、汽车高分辨率AR/VR以及AI边缘计算等应用场景对内存性能的更高需求。

三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片，在1.05伏电压下即可实现12700 MT/s的超高传输速率，即使在0.9伏的低电压下也能稳定运行在10700 MT/s。

这得益于两项关键技术的引入：

四相自校准环路： 确保高速内存接口中的4个内部时钟相位（0°、90°、180°和270°）保持正确对齐，有效解决高速数据传输中的信号衰减和符号间干扰问题。

AC耦合收发器均衡技术： 增强时钟信号，平衡接收器，并对发射器进行预加重，进一步提升信号完整性。

三星LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片的推出，标志着移动内存技术迈入了一个新的时代。其超高的传输速率和优异的能效表现，将为下一代智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备带来更流畅的用户体验、更强大的AI算力以及更持久的续航时间。