三星正重新设计其第六代1c DRAM，以提升良品率，并在即将到来的HBM4工艺中占据优势。此前，三星的1c DRAM工艺良品率未达预期，约为60%-70%，导致无法量产。问题主要在于芯片尺寸过小，影响了工艺稳定性。三星调整策略，增大芯片尺寸，专注于提高良品率，目标是在今年年中实现。此举旨在确保HBM4工艺能被业界广泛采用，避免重蹈HBM3衍生产品整合受阻的覆辙。面对SK海力士和美光等竞争对手的挑战，三星正加速推进，预计今年年底实现HBM4量产。

📈三星重新设计第六代1c DRAM，旨在提高良品率，为即将推出的HBM4工艺铺平道路。此举表明三星正积极应对技术挑战，力求在高端存储市场保持竞争力。

📏最初，三星专注于缩小1c DRAM芯片尺寸以提高产量，但这一策略牺牲了工艺稳定性，导致良品率下降。三星随后改变设计，增大了芯片尺寸，并致力于提高良品率。

🎯三星的目标是在今年年中提高1c DRAM的良品率，并在今年年底实现HBM4工艺的量产。这一时间表显示了三星在HBM市场追赶竞争对手的紧迫性。

据报道，三星正在重新设计其第六代 1c DRAM，以提高良品率，并在即将推出的 HBM4 工艺中获得优势，这家韩国巨头目前正在考虑改革其 1c DRAM 工艺，据说这是 HBM4 工艺取得成功的关键因素。

根据ZDNet韩国的报道，三星自2024年下半年以来一直在评估其尖端DRAM工艺的设计，该公司现在已经重新设计了其高端1c DRAM，以确保其即将推出的HBM工艺能够得到业界的采用，而不像HBM3衍生产品在与英伟达等公司整合时遇到巨大障碍。

报道称，三星最先进的 DRAM 工艺没有达到目标良品率，据说约为 60%-70%，这也是这家韩国巨头无法进入量产阶段的原因。 据称，主要问题在于 1c DRAM 芯片的尺寸，三星最初的重点是缩小尺寸以实现更高的产量，但这意味着该公司要在工艺稳定性上做出妥协，从而导致良品率降低。

三星电子改变了 1c DRAM 的设计，增大了芯片尺寸，并致力于提高良品率，目标是在今年年中实现。 看来他们正专注于下一代内存的稳定量产，即使成本更高。

- ZDNet 韩国

由于 SK 海力士和美光等竞争对手已经完善了自己的HBM4设计，留给三星的时间已经不多了，尤其是在 HBM3 失败之后。

目前，三星第 6 代 DRAM 工艺的发展还存在不确定性，但据称我们可以在未来几个月内看到进展，这有可能使三星的 HBM4 工艺步入量产轨道，预计将于今年年底量产。