澜起科技最新研发的第二子代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）和多路复用数据缓冲器（MDB）套片已成功送样给全球主要内存厂商。该套片专为DDR5 MRDIMM内存模组设计，最高支持12800 MT/s传输速率，相比第一子代提升约45%。MRCD芯片负责缓冲和中继地址、命令等信号，MDB芯片则负责缓冲和中继数据信号。通过时分复用技术，MRDIMM能在标准速率下实现双倍数据传输速率，满足人工智能等高性能工作负载对内存的需求。澜起科技通过技术积累和前瞻布局，巩固了其在全球内存接口领域的领先地位。

🚀澜起科技第二子代MRCD和MDB套片专为DDR5 MRDIMM设计，最高支持12800 MT/s传输速率，较第一子代提升约45%。

🔗MRCD芯片在MRDIMM内存条中缓冲和中继来自内存控制器的地址、命令、时钟和控制信号；MDB芯片则负责缓冲和中继来自内存控制器或DRAM内存颗粒的数据信号。

⏱️通过时分复用技术，MRDIMM能在标准速率下同时跨两个阵列进行数据传输，实现较标准RDIMM双倍的数据传输速率，满足高性能计算需求。

🏆澜起科技凭借技术积累和前瞻性布局，成功量产DDR5第一子代MRCD和MDB套片，并迅速迭代推出第二子代，巩固了在全球内存接口领域的领先地位。

IT之家 1 月 24 日消息，国内内存接口芯片企业澜起科技今日宣布其最新研发的第二子代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）、多路复用数据缓冲器（MDB）套片已成功向全球主要内存厂商送样。

该套片专为 DDR5 MRDIMM 内存模组而设计（IT之家注：一根 MRDIMM 配备 1 颗 MRCD 和 10 颗 MDB），最高支持 12800 MT/s 传输速率，相较第一子代的 8800MT/s 进一步提升约 45%。

MRCD 芯片在 MRDIMM 内存条中缓冲和中继来自内存控制器的地址、命令、时钟和控制信号；而 MDB 则负责缓冲和中继来自内存控制器或 DRAM 内存颗粒的数据信号。

这两种芯片和时分复用技术的结合，意味着 MRDIMM 能在标准速率下同时跨两个阵列（Rank）进行数据传输，从而实现较标准 RDIMM 双倍的数据传输速率。

澜起科技总裁 Stephen Tai 表示：

随着人工智能和其他严苛工作负载对内存性能的要求日益提升，数据中心内存不断向更大容量和更高带宽方向发展。

澜起科技凭借深厚的技术积累和前瞻性布局，成功量产 DDR5 第一子代 MRCD 和 MDB 套片，并迅速迭代推出第二子代 MRCD 和 MDB。这不仅为 DDR5 内存技术的未来发展注入了新的动能，也再次巩固了我们在全球内存接口领域的领先地位。