三星电子为解决12nm级DRAM内存产品良率和性能问题，决定在改进现有工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。新项目D1B-P专注于提升能效和散热，预计2025年量产。此前，三星12nm级DRAM在LPDDR5x等关键领域表现不佳，良率仅为60%，远低于行业标准。三星为此紧急订购设备，计划今年二三季度推出新工艺产品，以重夺市场竞争力。

🛠️三星为应对12nm级DRAM内存的良率和性能挑战，启动D1B-P项目，旨在从根本上重新设计1b nm DRAM工艺。

⚡️D1B-P项目专注于改进能效和散热表现，这与三星第六代V-NAND改进版制程V6P采用了相同的命名逻辑，凸显了三星对技术迭代的重视。

📉现有12nm级DRAM工艺良率仅为60%左右，远低于行业大规模量产所需，直接导致了三星在LPDDR5x等关键领域的失利，甚至丢失了Galaxy S25初期内存供应地位。

⏳三星已在2024年底为D1B-P项目紧急订购设备，预计新制程将于2025年内量产，最早可能在今年二三季度推出，力求尽快恢复市场竞争力。

IT之家 1 月 21 日消息，韩媒 ETNews 今日报道称，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写），专注改进能效和散热表现，这与三星此前的第六代 V-NAND 改进版制程 V6P 采用了相同的命名逻辑。

三星在 2022 年 12 月、2023 年 5 月先后宣布其 12nm 级 DDR5 DRAM 完成开发与批量生产，但此代工艺并未在 LPDDR5x 等关键领域取得成功，三星 DS 部门甚至因此丢掉了 MX 部门 Galaxy S25 系列手机初期内存一供的地位。

此外，现有 12nm 级 DRAM 工艺在作出启动 D1B-P 项目的决定时良率仅有 60% 左右，远低于业界大规模量产所需的 80%~90%。

报道指出三星电子在 2024 年底为 D1B-P 项目紧急订购了必需设备，该制程预计将于 2025 年内量产，最早的推出时间则是今年 2~3 季度。