日本瑞萨电子宣布推出面向第二代DDR5 MRDIMM（12800MT/s）的完整内存接口芯片组解决方案，包括新款MRCD、MDB、PMIC芯片和配套的温度传感器与SPD集线器。第二代DDR5 MRDIMM相比初代产品内存带宽提升35%，满足AI、HPC等数据中心应用对更高内存带宽的需求。瑞萨推出的三款芯片RRG50120、RRG51020、RRG53220现已出样，计划2025年上半年投产。其中，第二代MRCD芯片功耗降低45%，第二代PMIC芯片提供出色的电气过压保护和能效优化，满足高性能系统需求。

🚀 **第二代DDR5 MRDIMM内存带宽提升35%**: 针对AI、HPC等数据中心应用对内存带宽不断增长的需求，第二代DDR5 MRDIMM（12800MT/s）相比初代产品（8800MT/s）内存带宽提升了35%，显著增强了数据处理能力。

💡 **瑞萨推出三款关键芯片**: 瑞萨电子推出了三款面向第二代DDR5 MRDIMM的关键组件：多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片RRG50120、多路复用数据缓冲器（MDB）芯片RRG51020、PMIC芯片RRG53220，这些芯片现已开始出样，计划于2025年上半年正式投产。

🔋 **第二代MRCD芯片功耗降低45%**: 瑞萨的第二代MRCD芯片RRG50120在功耗方面实现了显著优化，与初代产品相比降低了45%，有效提升了能源效率。

🛡️ **第二代PMIC芯片提供卓越的电气保护和能效**: 为DDR5 MRDIMM打造的第二代PMIC芯片RRG53220，针对高电流和低电压操作进行了优化，提供出色的电气过压保护和卓越的能效，保障了系统的稳定性和可靠性。

🤝 **瑞萨携手行业领导者满足市场需求**: 瑞萨电子紧跟AI和HPC应用对更高性能系统需求增长的趋势，与行业领导者合作开发下一代技术和规范，并凭借其专业技术知识和生产能力满足日益增长的市场需求。

IT之家 11 月 21 日消息，日本瑞萨电子昨日宣布率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM（IT之家注：12800MT/s）的完整内存接口芯片组解决方案，包含新款 MRCD、MDB、PMIC 芯片和配套的温度传感器与 SPD 集线器。

瑞萨表示，AI、HPC 和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的 DDR5 MRDIMM。与目前 8800MT/s 的初代产品相比，下一代 DDR5 MRDIMM 可实现 35% 的内存带宽提升。

瑞萨此次推出了三款面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新关键组件，分别是多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片 RRG50120、多路复用数据缓冲器（MDB）芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。这三款芯片现已出样，计划 2025H1 投产。

瑞萨表示其第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相较初代产品功耗降低 45%；而为 DDR5 MRDIMM 打造的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 可提供出色的电气过压保护和卓越的能效，并针对高电流及低电压操作进行了优化。

瑞萨高管 Davin Lee 表示：

AI 和 HPC 应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。

我们面向第二代 DDR5 MRDIMM 的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。