雪球网今日 2024年09月25日
聊聊最近8nm光刻机
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工信部推广两款国产DUV光刻机,最小套刻精度小于等于8nm,但此精度非手机芯片制程。文章分析了光刻机的关键指标,对比了国内外光刻机情况,指出我国光刻机虽有进步,但代差仍在,不过国防产品已实现全产业链自研。

🎯国产DUV光刻机引起舆论关注,最小套刻精度小于等于8nm,但此精度不同于手机芯片制程中的7nm等。分辨率类比画画线条粗细,套刻精度类比线条间距离误差范围,工艺、制程类比用凹透镜看线条粗细能达到的最细程度。

💻目前国产光刻机关键指标为分辨率小于等于65nm,套刻精度小于等于8nm,能制造65nm制程,可能通过多次曝光制作28nm制程。而ASML的1970i用于生产28nm,分辨率小于等于38nm,套刻精度小于等于3.5nm。

📅荷兰更改光刻机管制,限制ASML向我国出口1980Di和1970Di型号。我国28nm全产业链情况不容乐观,目前全产业链处于65nm - 28nm之间,代差在10年左右。

🎉利好消息是荷兰政府不会进一步加强管制,因为我国已能制造比1970i差的光刻机。我国国防产品已实现包括光刻机在内的全产业链自研,这是重大进步。

来源:雪球App,作者: TopView_,(https://xueqiu.com/3606637792/305611148)

来聊点专业的,最近关于芯片的一个消息:工信部公开推广两款国产DUV光刻机,最小套刻小于等于8nm。

这一下舆论哗然,竟然已经到8nm以下了,光刻机突破了呀。

其实此小于等于8nm,并非我们常说的制程7nm,这个7nm一般就是手机芯片说的那个7nm、5nm、3nm的那个制程。

我问了一下kimi,估计这样大家就可以理解了。

我总结一下:分辨率可以类比为画画时候线条的粗细,套刻精度可以类比为两个线条之间距离的误差范围。工艺、制程可以理解为,我拿凹透镜(凸透镜是放大镜,凹透镜是缩小,类比多重曝光)来看线条的粗细能够达到的最细线条。

目前这款光刻机关键指标是分辨率小于等于65nm,套刻精度小于等于8nm,我看比较专业的分析是能够制造65nm制程,并且有可能能够通过多次曝光制作28nm制程的。

而业界比较成熟的用于生产28nm的是ASML的1970i,其分辨率为小于等于38nm,套刻精度为小于等于3.5nm

而更先进的一个型号1980i,传闻台积电最初的7nm就是用这台机器做的,其套刻精度是小于等于2.5nm。

大家还记得两周前(9月9日)我跟大家聊的荷兰更改了对光刻机的管制:ASML需要向荷兰政府申请出口许可证才能向我们出口1980Di跟1970Di这两个型号

我当时给出的结论是:去年限制只限制2000i以及以上的型号,我当时还以为国内14-10nm有一战之力了。现在又限制了1980i跟1970i,说明经过美国一年的观察,我们28nm全产业链也不容乐观。

目前来看,确实如此。

利好消息是接下来荷兰政府不会对我们有进一步的加强管制了,因为比1970i差的我们已经能造了。

利空消息是目前全产业链应该还只是处于65nm-28nm之间。ASML历年的投资者交流文件显示1970i首次出货的时间是2013年,我们的代差应该还在10年附近。

不过,这也算是一个重大进步了,因为国防产品也就是用55nm、65nm这些成熟制程,我们已经实现了包括光刻机在内的全产业链了。换做2018年时候,我们国防产品的芯片可能还用的是欧美的技术生产的呢。真理只在大炮的射程之内,国防产品全自研,我们就已经立于不败之地了。

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