国产干式DUV光刻机取得重大突破，工信部文件显示其向65nm迈进，虽与海外先进技术有差距，但标志着我国半导体设备技术进步，光刻机国产化率低，市场被垄断，零组件和整机厂商正加快追赶。

🎯国产干式DUV光刻机实现分辨率≤65nm和套刻≤8nm，工信部印发的《目录》中包含相关集成电路关键生产设备，这代表着我国在光刻机领域取得了重要突破，为半导体产业发展带来新机遇。

💡目前光刻机国产化率仅为2.5%，市场主要被ASML、佳能和尼康垄断，且荷兰政府加大光刻机出口管制，这使得我国光刻机发展面临挑战，但也促使国内厂商加快追赶步伐。

📈尽管国产ArF光刻机与海外先进EUV光刻机技术差距较大，但此突破仍标志着我国半导体设备技术的重大进步，同时我国光刻机零组件和整机厂商正积极努力，有望推动行业发展。

国产干式DUV光刻机取得重大突破，ArF光刻机实现分辨率≤65nm和套刻≤8nm。工信部于9月9日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》（以下简称《目录》）通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）等集成电路关键生产设备，代表着国产光刻机取得重大突破，向65nm迈进。《目录》中的电子专用装备目录下提到，集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机，光源248nm，分辨率≤110nm，套刻≤25nm；氟化氩光刻机，光源193nm，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。目前，光刻机国产化率仅为2.5%，市场主要由ASML、佳能和尼康所垄断，主要依赖进口，而近期荷兰政府加大了光刻机出口管制，9月7日起，全球光刻机龙头企业ASML将需要向荷兰政府而非美国申请1970i和1980i浸润式DUV光刻机的出口许可。光刻机作为价值量较大的核心半导体设备，该国产ArF光刻机虽然仍与海外先进EUV光刻机技术差距较大，但仍标志着我国半导体设备技术取得了重大进步，且目前我国光刻机零组件和整机厂商正在加快追赶步伐，有较大的发展机遇，建议关注光刻机产业链相关标的。 东海研究 | 电子：国产DUV光刻机重大突破，消费电子新品密集发布有望拉动行业景气度