长江存储在面对美国出口限制和被列入实体清单的压力下，成功利用国产半导体设备替代部分美系设备，并借助自研Xtacking架构实现了3DNAND闪存芯片的制造。虽然仍依赖外国供应商提供关键工具，但国产设备已承担了生产流程的大部分。尽管层数有所减少，但长江存储表示会持续提高产品性能，并随着制造工艺的成熟，增加堆叠层数。

🤩 长江存储克服美国制裁，成功利用国产设备替代部分美系设备，实现了3DNAND闪存芯片的制造，标志着中国在半导体制造领域取得了重大突破。

💪 长江存储采用自研Xtacking架构，有效提升了芯片的存储密度和性能，进一步巩固了其在闪存芯片制造领域的领先地位。

🚀 长江存储表示会持续优化产品性能，并随着制造工艺的成熟，增加堆叠层数，力争在未来成为全球领先的闪存芯片供应商。

⚠️ 尽管国产设备已承担了生产流程的大部分，但长江存储仍然依赖外国供应商提供关键工具，未来需要继续加大研发投入，提升国产设备的性能和可靠性。

长江存储在美国出口限制和被列入实体清单的压力下，成功采用国产半导体设备替代部分美系设备，并利用自研Xtacking架构实现3D NAND闪存芯片的制造。尽管仍依赖外国供应商提供关键工具，但国产设备已承担生产流程的大部分。尽管层数有所减少，但长江存储表示会不断提高产品性能，并随着制造工艺的成熟，增加堆叠层数。

媒体报道

长江存储用国产设备制造3D NAND芯片	中关村在线_ZOL企业站
长江存储正加速转向国产半导体设备！	搜狐科技
替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片	快科技

事件追踪

2020-09-12 01:56:31	日媒：中芯国际和长江存储正加紧测试自研生产线非美设备