🤔 **国产ArF光刻机量产，但制程仅为65nm，距离28nm还有距离** 国产光刻机目前量产的是干法DUV光刻机（ArF光刻机，65nm制程），而非更先进的浸没式DUV光刻机（ArFi光刻机，28nm制程）。虽然理论上通过多重曝光可以达到28nm制程，但考虑到套刻精度只有8nm，远低于1980i的1.6nm，多重曝光存在较大误差，量产用于生产制造28nm的概率较低。 国产的浸没式光刻机（ArFi光刻机，28nm制程）机台已经在下游晶圆产线上做相关测试验证，更为先进制程节点的国产光刻机应该也在触及了。

🔭 **光刻机技术指标与制程节点的关联** 制程节点/分辨率：晶体管之间的距离/刻印出的最小线宽，体现集成度。分辨率=K*波长/NA，其中K为分辨率系数，NA为数值孔径。光源波长越短、数值孔径（NA）越大、多重曝光等工艺因子（k1）越高，光刻机的分辨率就越高，光刻制程（集成度）越高。 光刻机制裁精度与光源波长：紫外光UV【g-line(436nm)和i-line(365nm)】；深紫外线DUV【KrF（248nm）和ArF/ArFi（193nm）】；极紫外线EUV（13.5nm）。【一般，ArF对应65nm制程，ArFi对应28nm制程。低端与中高端的应用分界线是65nm制程】 套刻（overlay）：前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度/偏差（3σ）。overlay越小，分辨率越高，焦深越大，设备越贵。【一般，套刻精度4nm：对应28nm制程；套刻精度8nm：对应65nm】

📊 **国产光刻机与国际领先水平的差距** 文章指出，这台国产量产最先进的65nm光刻机，在个别技术指标上落后国际主流同水平产品超过15年以上（ASML和尼康在15年前相同光源(ArF)光刻机的数值孔镜(0.8)比我们现在的0.75还要高）。 全球光刻机竞争格局：ASML、Nikon和Canon三大供应商占据了99%市场份额，其中ASML以82.14%。

来源：雪球App，作者： 克成先生，（https://xueqiu.com/2004814096/304816380）

国产氟化氩ArF光刻机（65nm制程）：量产推广

工信部微信公众号“工信微报”9月9号发布“《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》印发”：披露的这款国产是干法DUV光刻机（ArF光刻机，65nm制程），而非更先进的浸没式(湿法)DUV光刻机（ArFi光刻机，28nm制程）。ArF是激光源，用来产生波长193nm的激光。

1）理论上通过多重曝光可以达到28nm，但考虑到套刻精度只有8nm，远低于1980i 的1.6nm，多重曝光存在较大误差，量产用于生产制造28nm的概率较低。

2）不过，国产的浸没式光刻机（ArFi光刻机，28nm制程）机台已经在下游晶圆产线上做相关测试验证，更为先进制程节点的国产光刻机应该也在触及了。

1、制程节点/分辨率：晶体管之间的距离/刻印出的最小线宽，体现集成度。

分辨率 = K * 波长 / NA，其中K为分辨率系数，NA为数值孔径。光源波长越短、数值孔径（NA）越大、多重曝光等工艺因子（k1）越高，光刻机的分辨率就越高，光刻制程（集成度）越高。

【这台国产量产最先进的65nm光刻机 , 在个别技术指标上落后国际主流同水平产品超过15年以上 （ASML和尼康在15年前相同光源(ArF)光刻机的数值孔镜(0.8)比我们现在的0.75还要高）】

2、光刻机制裁精度与光源波长：

紫外光UV【g-line(436nm)和i-line(365nm)】；

深紫外线DUV【KrF（248nm）和ArF/ArFi（193nm）】；

极紫外线EUV（13.5nm）。

【一般，ArF对应65nm制程，ArFi对应28nm制程。低端与中高端的应用分界线是65nm制程】

3、套刻（overlay）：前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度/偏差（3σ）。

overlay越小，分辨率越高，焦深越大，设备越贵。

【一般，套刻精度4nm：对应28nm制程；套刻精度8nm：对应65nm】

4、全球光刻机竞争格局：ASML、Nikon和Canon三大供应商占据了99%市场份额，其中ASML以82.14%。

$张江高科(SH600895)$