🦾光刻机是制造芯片的核心装备，其工艺复杂，成本占比高，耗时久。此次工信部公布的光刻机，对实现28nm以上制程成熟芯片的全流程国产化具有重要意义。
💻本次DUV光刻机可生产65至28纳米的芯片，套刻精度≤8nm。虽然与阿斯麦最先进的光刻机相比还有差距，但在国产化进程中迈出了重要一步。
🧐从理性角度看，我国此次的光刻机技术水平相当于ASML2006年的XT1450，尽管存在差距，但也为工艺水平和良率提升提供了基础。
9月9日，工信部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》的通知，公布了氟化氩光刻机、氟化氪光刻机，意味着28nm以上制程成熟芯片，有望实现全流程国产化！ 光刻机，指的是制造芯片的核心装备，工艺最复杂，约占芯片制造成本的三分之一，耗时约占一半。 本次DUV光刻机生产65至28纳米，套刻≤8nm。而阿斯麦最先进的ARFI的DUV，套刻小于3纳米，而整体多曝光之后可以达到14纳米。 从更理性的目光看，技术水平相当于 ASML 2006 年的 XT1450 的水平，工艺水平和良率提
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