英飞凌成功研发全球首个300mm功率GaN晶圆技术，此技术在现大规模制造环境中实现，芯片生产更先进高效，能提供更多芯片数量，正应用于多领域，英飞凌计划扩大产能。

🎯英飞凌成功研发出全球首个300mm功率GaN晶圆技术，该技术在现有的大规模制造环境中得以实现。与200mm晶圆相比，300mm晶圆的芯片生产技术更为先进，效率也更高，能够提供2.3倍的芯片数量，这是一项重大的技术突破。

💡GaN基功率半导体正快速应用于工业、汽车和消费电子等多个领域。英飞凌的300mm功率GaN晶圆技术的成功研发，将为这些领域的发展提供更强大的支持，推动相关产业的进步。

📈英飞凌计划在市场需求的基础上进一步扩大GaN产能。这一举措表明英飞凌对该技术的市场前景充满信心，也将有助于满足市场对GaN基功率半导体的需求，促进产业的发展。

英飞凌公司宣布成功研发出全球首个300mm功率GaN晶圆技术，并在现有的大规模制造环境中实现这一突破性技术。与200mm晶圆相比，300mm晶圆的芯片生产技术更先进、效率更高，并能提供2.3倍的芯片数量。GaN基功率半导体正快速应用于多个领域，如工业、汽车和消费电子等。英飞凌计划在市场需求的基础上进一步扩大GaN产能。

媒体报道

英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术	财联社
英飞凌实现全球首个 300mm 功率氮化镓 GaN 晶圆技术	IT 之家
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事件追踪

2023-10-25 11:57:10	英飞凌完成收购氮化镓系统公司 （GaN Systems）