三星电子宣布其首款1太比特四层单元（QLC）第九代V-NAND已正式开始量产。该产品采用了多项技术突破，包括通道孔蚀刻技术、预设模具技术、预测程序技术和低功耗设计技术，实现了更高的存储密度、更快的写入速度、更长的使用寿命和更低的功耗。三星计划将QLC第九代V-NAND应用于从品牌消费类产品到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD等各个领域，为各种客户提供服务。

🚀 **通道孔蚀刻技术**：该技术基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数，并利用TCL第九代V-NAND的经验优化了存储单元面积及外围电路，使位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%。

🤖 **预设模具技术**：这项技术能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元特性保持一致，从而提高数据保存性能约20%，增强可靠性。

⚡️ **预测程序技术**：该技术能够预测并控制存储单元的状态变化，减少不必要的操作，将三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍，I/O速度提升60%。

🔋 **低功耗设计技术**：这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，并通过仅感测必要的位线（BL），使数据读取功耗下降约30%和50%。

IT之家 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。

据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，IT之家汇总如下：

通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 TCL 第九代 V-NAND 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升约 86%。

预设模具（Designed Mold）技术，能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致（V-NAND 层数越多，存储单元特性越重要）；采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强可靠性。

预测程序（Predictive Program）技术，能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。

低功耗设计（Low-Power Design）技术，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

此外，三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

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