🧪英飞凌成功开发全球首款12吋氮化镓（GaN）晶圆技术，这是一项具有重要意义的技术突破。该技术旨在应对高耗能人工智能数据中心及电动车领域对功率半导体快速增长的需求，展现了英飞凌在半导体领域的创新能力和领先地位。

🎁首批给予客户的试用样板将于明年第四季推出。这意味着该技术将很快进入实际应用阶段，为相关产业带来新的发展机遇。通过试用样板，客户可以更好地了解和评估该技术的性能和优势，为后续的大规模应用做好准备。

💪使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。这种技术优势将有助于提高芯片的性能和质量，降低生产成本，同时也能够满足市场对高性能、高效率芯片的需求，推动半导体产业的发展。

格隆汇9月11日｜德国芯片制造商英飞凌(Infineon)公布，已开发全球首款12吋氮化镓(GaN)晶圆技术，以满足高耗能人工智能数据中心及电动车对功率半导体快速增长的需求。公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。