我国在半导体产业链中补齐了关键一环！国家电力投资集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司近日完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付，标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。核力创芯在不到3年的时间里，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术、100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。

👍 **掌握核心技术，补齐产业链短板:** 氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，其核心技术和装备工艺的缺失，严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的突破，标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

💪 **自主研发，突破技术封锁:** 核力创芯在遭遇外国关键技术、装备封锁的不利条件下，在不到3年的时间里，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术、100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。这充分展现了我国科技工作者自主创新、攻坚克难的决心和能力。

💯 **性能卓越，获得用户认可:** 首批交付的芯片产品经历了累计近1万小时的工艺、可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。这证明了国产氢离子注入技术的成熟性和可靠性，为我国半导体产业发展注入新的活力。

🚀 **未来可期，加速国产化进程:** 核力创芯的成功，不仅标志着我国在功率芯片领域取得重大突破，更将加速推动半导体离子注入设备和工艺的全面国产化进程，为我国半导体产业的自主可控发展奠定坚实基础。

🏆 **突破关键技术，实现自主可控:** 国产氢离子注入技术的突破，对于推动我国半导体产业发展具有重大意义，将有效提升我国芯片制造水平，增强产业链自主可控能力，为我国经济社会发展提供有力支撑。

🚀 **自主创新，引领产业发展:** 核力创芯的成功，充分展现了我国科技工作者自主创新、攻坚克难的精神，为我国半导体产业发展注入新的活力，将有力推动我国半导体产业的快速发展。

💪 **突破瓶颈，实现跨越式发展:** 核力创芯的突破，将有效克服我国半导体产业发展中的关键技术瓶颈，推动我国半导体产业实现跨越式发展，为我国经济社会发展提供强有力的支撑。

🏆 **国产替代，打造核心竞争力:** 核力创芯的成功，将加速推动半导体离子注入设备和工艺的全面国产化进程，为我国半导体产业打造核心竞争力，为我国经济社会发展提供新的动力。

🚀 **自主可控，引领未来发展:** 核力创芯的突破，将推动我国半导体产业实现自主可控，为我国半导体产业的未来发展奠定坚实基础，为我国经济社会发展提供新的机遇。

💪 **技术创新，支撑产业升级:** 核力创芯的成功，将有效推动我国半导体产业技术创新，支撑我国半导体产业的升级发展，为我国经济社会发展提供新的动力。

🏆 **产业升级，实现高质量发展:** 核力创芯的突破，将有效推动我国半导体产业的升级发展，为我国经济社会发展实现高质量发展提供新的动力。

🚀 **自主研发，引领科技进步:** 核力创芯的成功，充分展现了我国科技工作者自主创新、攻坚克难的精神，为我国科技进步提供新的动力，为我国经济社会发展提供新的机遇。

快科技9月11日消息，据国家电力投资集团官方消息，近日，集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

这标志着，我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

工程师进行晶圆离子注入生产

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。

这一领域核心技术、装备工艺的缺失，严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。

核力创芯在遭遇外国关键技术、装备封锁的不利条件下，在不到3年的时间里，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术、100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。

首批交付的芯片产品经历了累计近1万小时的工艺、可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。