美光完成12-Hi堆栈的HBM3E高带宽内存，单颗容量36GB，用于顶尖AI、HPC计算产品，速率9.2Gbps，带宽超1.2TB/s，功耗更低，采用台积电CoWoS封装技术，支持MBIST，已提供给关键伙伴验证。

🧐美光的新一代HBM3E高带宽内存采用12-Hi堆栈，单颗容量达36GB，相比之前的8-Hi 24GB版本增大了一半。此内存将助力顶尖的AI、HPC计算产品，如NVIDIA H200、B200等加速卡，使单卡能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，减少对CPU的频繁调用，提升数据处理效率。

🚀该内存有着9.2Gbps的超高速率，单颗可提供超过1.2TB/s的惊人带宽。同时，其功耗比8-Hi版本更低，在性能提升的同时实现了更好的能耗控制。

💻美光12-Hi 36GB HBM3E内存采用台积电CoWoS封装技术制造，这也是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，使得两者能够轻松搭配。此外，它支持完全可编程的MBIST，可模拟全速下的系统负载，便于快速完成测试验证，加快产品上市速度。

快科技9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。

它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。

美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。

台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。

支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。

美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。