?HJT组件功率2024年底目标750W,2025年有望达780W。 目前通威1GW组件功率达到744W,比TOPCon高出25-30W,并且随着技术的不断进步,这一优势有望进一步扩大。我们预计在2024年底实现量产功率750W,随着后续背抛、PED等技术的叠加,组件功率有望将进一步提升至770-780W。 ?HJT非硅成本有望达0.17元/W。 HJT目前非硅成本约0.2元/W(硅片厚度100微米、浆料用量低于12mg/W、银含量接近30%),比TOPCon非硅最优水平高4-5分/W,这个
🎯HJT组件功率目标明确,2024年底目标750W,2025年有望达780W。目前通威1GW组件功率达744W,比TOPCon高,且优势有望扩大,预计2024年底实现量产功率750W,后续技术叠加可进一步提升功率。
💲HJT目前非硅成本约0.2元/W,比TOPCon非硅最优水平高4 - 5分/W,但有望达0.17元/W。如硅片厚度为100微米、浆料用量低于12mg/W、银含量接近30%等情况,有助于降低非硅成本。
📈随着技术进步,如背抛、PED等技术的叠加,不仅组件功率有望提升,非硅成本也有望降低,这将推动HJT技术的发展和应用。
?HJT组件功率2024年底目标750W,2025年有望达780W。 目前通威1GW组件功率达到744W,比TOPCon高出25-30W,并且随着技术的不断进步,这一优势有望进一步扩大。我们预计在2024年底实现量产功率750W,随着后续背抛、PED等技术的叠加,组件功率有望将进一步提升至770-780W。 ?HJT非硅成本有望达0.17元/W。 HJT目前非硅成本约0.2元/W(硅片厚度100微米、浆料用量低于12mg/W、银含量接近30%),比TOPCon非硅最优水平高4-5分/W,这个
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