异质结电池是晶体硅异质结太阳电池，最早由日本三洋公司开发，2015年其专利保护结束后，各国加大对该技术的研发和产业化投入。此技术在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶硅与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

🎯异质结电池全称晶体硅异质结太阳电池，HIT电池最早由日本三洋公司成功开发，后虽出现多种类似名称，但实际都指异质结电池。1990年问世，2015年三洋公司的HIT专利保护结束，为该技术的广泛研究和应用铺平了道路。

🌟该技术的核心是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，这一操作使得异质结电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，既具备晶体硅电池的稳定性和高效性，又拥有薄膜电池的灵活性和低成本特性。

🚀异质结电池作为高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一，相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，其在光电转换效率、温度系数、弱光响应等方面表现更为出色，具有广阔的市场前景和应用价值。

异质结电池（HIT），全称晶体硅异质结太阳电池。 资料显示，HIT电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，由于HIT已经被三洋公司申请为注册商标，所以后来出现的HJT、HDT、SHJ其实指的都是异质结电池，2015年三洋公司的HIT专利保护结束，技术壁垒消除，各国企业和研究机构纷纷加大对HIT的技术研发和产业化投入。 该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。 相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶