多重曝光是制造高阶芯片的唯一路径，该技术在芯片制造中具有重要作用，我国在这方面取得成功，且此技术使掩膜版受益最大，国产替代有望加速发展。

🧐多重曝光技术是制造高阶芯片的唯一途径，台积电18年为华为制造7纳米芯片时就采用了该技术，海思的公开销售也证明我国在此技术上的成功。此技术通过在硅片上多次蚀刻线路，可在不改变光刻机波长的情况下制造出更高性能的芯片。

😮掩膜版在多重曝光技术中用量大增，其占成本12%。目前国产掩膜版存在较大供给缺口，国产化率低，高端掩膜版仅3%，平板显示掩膜版约20%，但国内产品有望凭借价格和交付速度优势实现国产替代。

🤔四重曝光技术即自对准四重图案化技术，可提高半导体制造中晶体管密度。该技术需更多掩膜版分步实现图形精确转移，且光刻胶消耗量会相应增加。

来源：雪球App，作者： 修心健身，（https://xueqiu.com/3917902785/303886106）

$华懋科技(SH603306)$ $清溢光电(SH688138)$
$路维光电(SH688401)$
确实只有多重曝光，制造高阶芯片唯一的一条路了。
这个技术，台积电18年给华为造的第一批7纳米，就用的多重曝光。
16年，英特尔搞过，但失败了。
海思公开对外销售，足以证明咱们在这技术上是绝对完全成功了。
多次曝光技术，掩膜版要多用好几倍的量。掩膜版占成本12%，光刻胶占6%，这技术受益最大就是掩膜版。
国产掩膜版存在较大供给缺口，国产替代有望加速发展。目前，中国半导体掩膜版的国产化率仅 10%左右，高端掩膜版国产化率仅有 3%。平板显示掩膜版国产化率约在 20%，国内平板显示掩膜版有望凭借其价格优势和更快的交付速度快速实现国产替代，整体来看，大陆掩膜版的发展滞后于平板显示投资的增长，特别在 AMOLED/LTPS 高精度掩膜版上国产化率不足，仍严重依赖进口，国产替代的空间巨大。
四重曝光技术，即自对准四重图案化（SAQP）技术，是一种用于提高半导体制造过程中晶体管密度的技术。这种技术通过在硅片上多次蚀刻线路，能够在不改变光刻机波长的情况下，实现更小的特征尺寸，从而制造出更高性能的芯片。随着半导体工艺的不断进步，多重曝光技术已成为必要的选择，尤其是在高端芯片制造中。
四重曝光技术相比单次曝光，需要更多的掩膜版来分步实现图形的精确转移。这一过程中，由于需要多次曝光和显影，光刻胶的消耗量会相应增加。