界面快报 2024年09月06日
三星电子计划2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
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三星电子DS部门展示未来内存产品路线图,2024年推出1cnm制程DDR内存,2026年推出1dnm,均提供32Gb颗粒容量产品。

🎈三星电子DS部门展示的内存产品路线图中,2024年内将推出1cnm制程DDR内存。此制程可提供32Gb颗粒容量产品,这意味着在内存容量上会有新的提升,为相关设备的性能优化提供支持。

🌟2026年,三星将推出最后一代10nm级工艺1dnm,同样最大提供32Gb容量。这一规划显示出三星在内存技术发展上的持续性和稳定性,尽管制程有所变化,但容量保持在一定水平。

💡从三星的未来内存产品路线图可以看出,其在内存领域的研发和投入具有明确的方向和目标。通过不断推进制程技术,三星致力于提升内存产品的性能和竞争力。

三星电子DS部门日前展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图,三星计划在2024年内推出1c nm制程DDR内存,该节点可提供32Gb颗粒容量产品;在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1d nm,仍最大提供32Gb容量。(韩国先驱报)

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三星电子 内存产品 1cnm制程 1dnm制程 32Gb容量
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