三星电子DS部门展示了未来内存产品路线图，计划在2024年推出1c nm制程DDR内存，提供32Gb颗粒容量。2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm，同样最大提供32Gb容量。
媒体报道
| 三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm | 财联社 |
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| 三星电子计划2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm | 界面/36Kr |
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