🎯第三代半导体技术创新中心（南京）历经4年努力，自主研发出沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术。该技术的成功攻关，打破了面型碳化硅MOSFET芯片性能的‘天花板’，具有重要意义。

💎碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。而此次研发的沟槽型碳化硅MOSFET芯片，进一步提升了其性能和应用价值。

📈目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主，而此次研发的沟槽型芯片有望改变这一现状。它为半导体行业的发展带来了新的机遇，推动了我国在该领域的进步。

9 月 3 日消息，“南京发布”公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 面碳化硅 MOS 结构的