SK海力士宣布全球首次开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，并将在年内完成量产准备，从明年开始供应产品。这款1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速度为8Gbps，比前一代提升了11%，能效也提高了9%以上。

🎉 SK海力士宣布全球首次开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，这标志着半导体技术取得了重大突破。 1c DDR5 DRAM的开发成功，意味着更高的性能和更低的功耗，为高性能计算和数据中心提供了更强大的硬件基础。 SK海力士的这项技术突破，将进一步推动数据中心的发展，为云计算、人工智能等领域提供更强大的算力支持，加速数字经济的繁荣。

🚀 这款1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，这意味着数据传输速度更快，处理能力更强，能够满足日益增长的数据处理需求。 此外，1c DDR5 DRAM的能效也提高了9%以上，这意味着在提供更高性能的同时，还能降低能耗，更加环保节能。

📅 SK海力士计划在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，并从明年开始供应产品。 这意味着这款新一代DRAM产品将很快投入市场，为数据中心和高性能计算领域带来全新的性能提升，推动产业发展进入新的阶段。

SK海力士宣布，全球首次开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。SK海力士强调，公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，据介绍，此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。（财联社）