格隆汇快讯 2024年08月23日
三星电子将在2nm工艺应用后端供电技术
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三星电子在2纳米半导体工艺中采用BSPDN技术,可使芯片面积减少、性能提升且功耗降低,并首次公开相关性能改进数据。

🧐三星电子在2纳米半导体工艺中引入后端供电(BSPDN)技术,这一举措具有重要意义。该技术预计能让芯片面积减少约17%,为芯片的微型化发展提供了新的可能,有助于提升设备的集成度和性能。

💪采用BSPDN技术后,芯片性能提升8%。这意味着芯片在处理数据和执行任务时将更加高效,能够满足日益增长的计算需求,为各种应用场景提供更强大的支持。

🌱同时,该技术还能使芯片功耗降低15%。这不仅有助于延长设备的电池续航时间,还能减少能源消耗,符合当前节能环保的发展趋势。

格隆汇8月23日|三星电子宣布,在2纳米半导体工艺中采用后端供电(BSPDN)技术,预计将使芯片面积减少约17%,同时性能提升8%,功耗降低15%。这是三星首次公开BSPDN技术的性能改进数据。

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