SK 海力士计划于2026年首次导入ASML的High NA EUV光刻机，并成立研发团队将该技术应用于DRAM内存生产，而英特尔、台积电、三星电子在该领域也有相应进展。

🧐SK 海力士计划在 2026 年首次引入 ASML 的 High NA EUV 光刻机，为此新成立了研发团队，努力将该光刻技术运用到最先进 DRAM 内存的制造中，以提升产品性能和竞争力。

💻英特尔已率先获得全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台也在运往俄勒冈州研发晶圆厂的途中，这显示出英特尔在该技术领域的领先地位。

📈台积电用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机有望在 2024 年内交付，这将有助于台积电在先进制程方面保持竞争力，推动半导体技术的发展。

🌟三星电子的首台用于研发的 High NA EUV 光刻机预计在 2024 年四季度至 2025 年一季度交付，这将为三星电子在半导体领域的发展提供新的动力。

IT之家 8 月 19 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。

SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。

综合IT之家已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台 High NA 机台也已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中。

而台积电和三星电子两家企业用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机也分别有望于 2024 年内、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。