格隆汇8月15日|近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员,并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。
🧪中国科学院金属研究所利用石墨烯等材料,成功发明一种‘受激发射’新型热载流子生成机制。这种机制为研究热载流子的特性和应用提供了新的思路和方法。
🎯基于该新型机制,构建了‘热发射极’晶体管。这种晶体管既能够降低功耗,又具有‘负电阻’功能,为集成电路的设计带来了新的可能性。
📰研究成果在国际学术期刊《自然》上发表,这一成果不仅展示了中国在该领域的研究实力,也为全球晶体管器件研究做出了重要贡献,有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中的广泛应用。
格隆汇8月15日|近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员,并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。
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