SK 海力士将其DDR5 DRAM芯片提价15%-20%，原因是HBM3/3E产能挤占，且今年DDR5价格有上涨空间，预计下半年价格会有所上涨。此外，三大原厂采用EUV光刻的1c nm DRAM将在2024~2025年推出，从下代1d nm节点开始，先进内存EUV光刻环节成本将大幅提升。

🧐SK 海力士 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%，主要是 HBM3/3E 产能挤占所致。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有 10%-20%上涨空间，各大厂商为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，使得价格不太可能下降，加上下半年是传统旺季，价格上涨趋势明显。

🌟IT之家报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024 - 2025 年推出，这是内存技术的一次重要进展。而下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，这会大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

🤔DDR5 价格上涨及新技术的推出，对整个半导体行业和市场需求都将产生影响。厂商需根据市场变化调整产能和策略，以适应行业发展的新趋势。

IT之家 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。

今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。

IT之家今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。