SK海力士研究员表示未来考虑转向4F2或3D结构的DRAM内存以降低成本，还提到从下一代产品开始可能转向VG或3D DRAM，以及相关技术的优势和面临的问题。

🧐4F2 DRAM是一种垂直构建单元结构的新型内存，其源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有6F2 DRAM可减少约30%芯片面积，预计在0a nm节点后量产。

🤔SK海力士从1c DRAM开始，EUV光刻成本迅速增加，现在需考虑制造DRAM的成本效益，从下代1d nm节点开始，先进内存将使用EUV多重曝光，大幅提升光刻环节成本。

😮利用VG或3D DRAM结构，能将内存的EUV光刻成本降至传统6F2 DRAM的一半以下，但VG DRAM在维持1 - 2代工艺的低光刻成本后，EUV成本将回归急剧上升轨道，而3D DRAM路线则需对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。

IT之家 8 月 13 日消息，据韩媒 THE ELEC 报道，SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F² 或 3D 结构的 DRAM 内存，以降低成本压力。

Seo Jae-Wook 表示：

从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。

（SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D DRAM。

Seo Jae-Wook 此处提到的 VG DRAM 即 4F² DRAM，三星电子称其为 VCT（垂直通道晶体管）DRAM，是一种垂直构建单元结构的新型内存。

4F² DRAM 的源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F² DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 预计 VG DRAM 将在 0a nm 节点后量产。

三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV 光刻成本降至传统 6F² DRAM 的一半以下。

其中对于 VG DRAM，可再维持 1~2 代工艺的低光刻成本，但在那之后 EUV 成本将回归急剧上升轨道；而 3D DRAM 路线则需要对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。