三星电子宣布将在其位于韩国平泽的P4工厂建设一条新的1c nm DRAM内存生产线，预计将于明年6月投入运营。此举旨在提升HBM4内存的能效竞争力，以追赶HBM领域的领先者SK海力士。同时，三星也为可能的HBM4生产需求做好准备。

🔥 三星电子将在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线，预计将于明年6月投入运营。此举旨在提升HBM4内存的能效竞争力，以追赶HBM领域的领先者SK海力士。三星电子近年来一直在努力提升HBM内存的性能和能效，以应对不断增长的数据中心和人工智能应用的需求。通过建设新的生产线，三星将能够生产出更高效、更强大的HBM4内存，进一步提升其在该领域的竞争力。

🚀 三星电子建设1c nm DRAM内存生产线，也是为了为可能的HBM4生产需求做好准备。HBM4是下一代高带宽内存技术，预计将在未来几年内得到广泛应用。三星电子正在积极布局HBM4市场，以抢占先机。

📈 三星电子此举将进一步提升其在DRAM内存市场的地位。三星电子是全球最大的DRAM内存生产商之一，其在该领域的市场份额一直处于领先地位。通过建设新的生产线，三星电子将能够进一步扩大其产能，满足不断增长的市场需求。

💰 三星电子此举将为韩国经济带来新的增长动力。三星电子是韩国经济的重要支柱，其投资将为韩国创造新的就业机会，并推动韩国半导体产业的发展。

💡 值得注意的是，三星电子近年来在代工业务方面也面临着挑战。台积电在先进制程工艺方面已经领先三星，而英特尔也正在追赶。三星电子需要在DRAM内存和代工业务方面取得平衡，才能保持其在半导体行业的领先地位。

三星电子将在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线，预计明年6月投入运营。该产线旨在提升HBM4内存的能效竞争力，以追赶HBM领域的领先者SK海力士。同时，也为可能的HBM4生产需求做好准备。

媒体报道

消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nmDRAM内存产线投资 目标明年6月投运	财联社
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运	IT 之家
消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资，目标明年6月投运	C114 通信网
消息称三星确认平泽 P4 工厂 1c nm 内存投资，目标明年六月投运	搜狐科技

事件追踪

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