比利时微电子研究中心（imec）与ASML合作，成功在High NA EUV光刻实验室首次利用High NA EUV光刻机曝光了逻辑和DRAM的图案结构。在逻辑图案方面，实现了9.5nm密集金属线和20nm以下的端到端间距尺寸，同时中心间距30nm的随机通孔和P22nm间距的二维特征也展现了出色的图案保真度和临界尺寸一致性。在DRAM领域，成功利用单次曝光图案化了集成SNLP和位线外围的DRAM设计。这些成果证实了High NA EUV光刻技术的分辨率能力，将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到重要作用，是推动技术进入“埃米时代”的关键。这一成果的实现得益于ASML-imec联合实验室的建立，加速了High NA光刻技术在制造领域的应用。
媒体报道
| imec使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破 | 财联社 |
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