华邦电子总经理陈沛铭在法人说明会上表示，其 4Gb 容量 DDR4 / LPDDR4 内存产品已放量出货，并受益于单价走高，二季度 DRAM 业绩实现增长。华邦电子目前最先进的工艺是 20nm 级的 D20，良率已达 90% 以上，计划明年推出 16nm DRAM 工艺，力争成为 DRAM 行业的第二梯队领头羊。同时，华邦电子已连续三年蝉联 NOR 闪存全球第一，新一代 45nm NOR 闪存也已于 7 月开始出货，受益于 AI 服务器、TWS 耳机和智能手机对 NOR 闪存需求的增长，相关业务前景看好。

😊 **DRAM 业务增长强劲**: 华邦电子 4Gb 容量 DDR4 / LPDDR4 内存产品已放量出货，并受益于单价走高，二季度 DRAM 业绩实现增长。华邦电子目前最先进的工艺是 20nm 级的 D20，良率已达 90% 以上，计划明年推出 16nm DRAM 工艺，力争成为 DRAM 行业的第二梯队领头羊。

🤩 **NOR 闪存业务持续领先**: 华邦电子已连续三年蝉联 NOR 闪存全球第一，新一代 45nm NOR 闪存也已于 7 月开始出货。AI 服务器、TWS 耳机和智能手机对 NOR 闪存的需求增长，为华邦电子 NOR 闪存业务带来了积极的增长动力。

🥳 **营收和利润双增长**: 华邦电子 2024 年上半年合计营收为 416.05 亿新台币，同比提升 14.5%，归属母公司净利为 12.59 亿新台币，每股净利为 0.3 元新台币。这表明华邦电子在 DRAM 和 NOR 闪存业务上的强劲增长，为其带来了显著的财务回报。

IT之家 8 月 6 日消息，综合台媒 MoneyDJ 理财网、钜亨网报道，利基型存储企业华邦电子总经理陈沛铭在 8 月 2 日的法人说明会上表示，其 4Gb 容量 DDR4 / LPDDR4 内存产品已放量出货。

陈沛铭表示，受单价走高等影响，华邦电子二季度收获 DRAM 业绩成长；而内存位元出货量的减少是因为 Wi-Fi 领域客户从 DDR3 转移至 DDR4，影响了华邦 DDR3 销售，不过这一趋势也意味着华邦的 DDR4 需求充足。

在 DRAM 制程部分，华邦目前最先进的工艺是 20nm 级的 D20，该工艺良率现已达到 90% 以上，高雄工厂相关产能已达每月 15000 片晶圆。

华邦电子计划在明年推出更为先进的 16nm DRAM 工艺，力争成为三星电子、SK 海力士、美光三大巨头后第二梯队的头名。

而在存储业务部分，华邦电子已连续三年蝉联 NOR 闪存全球第一，新一代 45nm NOR 闪存也已于 7 月开始出货。考虑到 AI 服务器的 NOR 用量较传统服务器大幅提升、TWS 耳机与智能手机 NOR 需求旺盛，相关业务基本面向好。

另据华邦电子官网，该企业 2024 年上半年合计营收为 416.05 亿新台币（IT之家备注：当前约 90.99 亿元人民币），同比提升 14.5%，归属母公司净利为 12.59 亿新台币，每股净利为 0.3 元新台币。