苹果正在加速推进QLC NAND换代，以将内置存储上限提高到2TB。QLC闪存相较于TLC闪存，可以存储更多数据，降低生产成本，但写入数据的耐久性会降低。苹果在iPhone 16上可能会将1TB及以上容量机型使用QLC闪存，这可能会导致部分用户遇到数据写入速度下降的问题。

🤔 苹果计划在2026年推出的iPhone上采用更大容量的存储，预计将达到2TB。这是因为苹果正在积极推进QLC NAND闪存的换代，该技术能够以更低的成本实现更大的存储容量。 QLC NAND闪存与传统的TLC NAND闪存相比，每个存储单元可以存储四位数据，这意味着在相同数量的单元下，QLC可以存储更多的数据，或者使用更少的单元存储更多的数据，从而降低生产成本。 然而，QLC闪存也存在一些缺点，例如写入数据的耐久性比TLC闪存低，因为每个单元写入的次数更多。此外，由于QLC闪存需要存储更多种电荷电平，在读取数据时更容易受到噪声干扰，从而导致位错误增加。

🤯 苹果可能会在即将推出的iPhone 16上率先采用QLC NAND闪存，但仅限于1TB及以上容量的机型。这意味着部分用户可能会遇到数据写入速度下降的问题，因为QLC闪存的写入速度通常比TLC闪存慢。 为了解决这个问题，苹果可能会采取一些措施来优化QLC闪存的性能，例如使用更快的控制器或采用更先进的算法。但是，即使如此，一些用户仍然可能会感受到数据写入速度的下降。

🤔 苹果在存储容量方面不断寻求突破，旨在为用户提供更大的存储空间，满足其不断增长的数据存储需求。然而，QLC NAND闪存的引入也带来了一些新的挑战，例如写入速度下降和耐久性降低。苹果需要在平衡成本、性能和耐久性之间找到最佳的解决方案，才能为用户提供更强大的存储体验。

快科技7月25日消息，据国外媒体报道称，苹果可能会在2026年的iPhone上启用更大存储，预计是2TB。

产业链最新透露的情况是，苹果正在加速推进QLC NAND换代，从而将内置存储上限提高到2TB。

至于为何使用QLC，可能还是跟苹果控制成本有关。

其实在这之前就有消息称，苹果可能会改变存储容量（iPhone 16上启用），不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。

与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。

此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。

QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。

如果苹果继续执行这一计划，一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。