SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体——氟气（F2），取代之前使用的三氟化氮（NF3）。氟气的全球变暖潜能值（GWP）为0，远低于NF3的17200，更环保。此外，SK 海力士还增加了氢氟酸（HF）的使用量，其GWP为1甚至更低，进一步降低了生产过程中的碳排放。

😊 **环保气体替代**: SK 海力士宣布将使用更环保的氟气（F2）来替代之前使用的三氟化氮（NF3），用于芯片生产过程中的清洗工艺。氟气的全球变暖潜能值（GWP）为0，而NF3的GWP为17200，这意味着氟气对环境的影响远低于NF3。

😇 **氢氟酸使用增加**: 除了使用氟气外，SK 海力士还增加了氢氟酸（HF）的使用量。氢氟酸的GWP为1甚至更低，远低于过去用于NAND通道孔蚀刻的氟碳气体。这进一步减少了芯片生产过程中的碳排放。

💪 **可持续发展**: SK 海力士的这一举措体现了其对可持续发展的承诺，并为半导体行业树立了环保的典范。通过采用更环保的气体，SK 海力士减少了生产过程中的碳排放，为保护环境做出了积极贡献。

🚀 **未来展望**: 未来，随着技术的进步和环保意识的增强，预计更多半导体企业会采取类似的措施，使用更环保的气体和工艺，推动半导体行业的绿色发展。

🌟 **行业影响**: SK 海力士的这一举措将对半导体行业产生积极的影响，推动行业朝着更加环保的方向发展。未来，预计更多半导体企业会效仿SK 海力士的做法，使用更环保的气体和工艺，共同打造更加绿色的半导体产业链。

IT之家 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F₂）。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF₃）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（IT之家注：NF₃ 的 GWP 为 17200，而 F₂ 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。