三星已开始在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存，以满足英伟达对高带宽内存的需求。为了弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，三星将平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线，并计划在该工厂优先投资 DRAM 产能。

👨‍💻 **三星开始量产并供应 HBM3 内存：** 三星已开始在华城 17 号产线量产 HBM3 内存，并向英伟达供应，以满足英伟达对高带宽内存的需求。HBM3 内存具有更高的带宽和容量，可以满足高性能计算和人工智能应用的需要。

🏭 **平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线：** 为了弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，三星将平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。这表明三星正在努力提高 DRAM 产能，以满足市场需求。

💰 **优先投资 DRAM 产能：** 三星已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。这表明 DRAM 仍然是三星半导体业务的重要组成部分，该公司将继续加大对 DRAM 的投入。

🚫 **暂缓 NAND 闪存产线投资：** 据报道，三星目前没有计划进一步投资 NAND 闪存产线。这表明三星正在将更多资源投入到 DRAM 和 HBM 等其他内存产品中。

📈 **市场需求与竞争：** 高性能计算和人工智能的快速发展，对高带宽内存的需求不断增加，HBM 成为关键技术，三星和英伟达的合作将进一步推动相关产业的发展。

IT之家 7 月 21 日消息，继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后，韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。

此外，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。

IT之家此前报道，三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。

业内人士称：

目前，P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。