SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片构建 HBM4 内存，并将于 2025 年下半年推出首批 HBM4 产品。台积电 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成，提供更大的内存带宽，改变 HPC&AI 芯片生态。
🤔 **SK 海力士采用台积电 N5 工艺版基础裸片构建 HBM4 内存**：SK 海力士和台积电于今年 4 月签署合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。SK 海力士最终选择了 N5 版基础裸片，因为其面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。
🚀 **N5 工艺版基础裸片优势明显**：N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。
💡 **半导体制造两大领域走向融合**：HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。
📈 **HBM4 内存的未来展望**：SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出，这将为 HPC&AI 芯片生态带来新的发展机遇。
🧠 **HBM4 内存的应用前景**：HBM4 内存的应用前景十分广阔，它将被广泛应用于人工智能、高性能计算、数据中心等领域，推动这些领域的快速发展。
IT之家 7 月 17 日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die）构建 HBM4 内存。
新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。
SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。
而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。
其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。
N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。
HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。
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