三星计划本季度开始向英伟达供应HBM3e内存芯片,此举可能影响DRAM供应,导致DDR5价格上涨。三星已通知供应链伙伴加快下单储备产能,显示其HBM产品线即将大规模出货。
🚀三星计划将20-30%的产能转移到HBM3e内存芯片上,预计本季度开始向英伟达供货,这标志着三星在高端内存市场的进一步扩张。
📉由于产能转移,DRAM供应可能面临压力,第三季度DDR5价格有可能出现上涨,影响整个内存市场的价格走势。
🔧三星已通知供应链合作伙伴加快下单,并储备产能,为HBM3e内存芯片的大规模生产做准备,显示三星对HBM产品的信心和市场需求预测。
🌐三星的这一动作可能意味着其在高性能计算和AI领域的深入布局,与英伟达的合作将进一步巩固其在内存市场的领导地位。

IT之家 7 月 16 日消息,三星本月初否认了 HBM3e 内存芯片通过英伟达认证测试的消息,不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来,有望今年第 3 季度开始向英伟达出货。 IT之家援引该报道,在三星的规划中,至少转移 20-30% 的产能到 HBM 上,因此可能导致 DRAM 供应进一步紧张,第三季度的 DDR5 价格可能会上涨。 该媒体报道称三星已通知部分供应链合作伙伴,要求其尽快下单并储备产能,这表明这家内存巨头的 HBM 可能会在下半年顺利开始出货。此举也可能意味着三星内部的产能