三星电子决定在下代 HBM 内存 HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。这将提高 HBM4 内存的综合能效，提升产品竞争力，并为三星电子 LSI 部门提供一份订单。

🤔 三星电子决定在下代 HBM 内存 HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，这一决定将带来多方面的益处。 首先，采用自家先进的 4nm 工艺可以提高 HBM4 内存的综合能效，提升产品竞争力。更精细的工艺意味着更高的集成度和更低的功耗，这将使 HBM4 内存更加节能，并提供更高的性能。 其次，4nm 工艺为各种定制功能的导入留出了更多空间。随着 HBM 内存的应用场景不断扩展，定制化需求也日益增长。采用 4nm 工艺可以满足这些定制需求，提供更灵活的解决方案。 此外，三星电子存储部门此举也为兄弟单位 LSI 部门提供了一份规模不小的订单。这将进一步加强三星电子内部的协同合作，促进公司整体发展。

🚀 值得一提的是，三星电子并非首次在其存储产品中采用 LSI 部门的先进工艺。此前，其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 就配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。这表明三星电子已经积累了将不同部门的优势技术整合到产品中的经验。

💡 随着 HBM 内存技术的不断发展，HBM4 将成为未来高性能计算、人工智能和数据中心等领域的关键组件。三星电子此次采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，将进一步巩固其在 HBM 内存领域的领先地位，并为未来发展奠定坚实基础。

🤝 值得注意的是，台积电也将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。这表明，随着 HBM 内存技术的不断发展，存储厂商与逻辑晶圆厂的合作将更加密切，共同推动 HBM 内存产业的发展。

🌐 此外，三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，也体现了其对未来 HBM 内存市场发展的信心。相信随着 HBM4 的推出，三星电子将继续引领 HBM 内存技术的发展，并为行业带来更多创新。

📈 总之，三星电子决定在下代 HBM 内存 HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，这一举措将为其带来多方面的益处，并推动 HBM 内存产业的进一步发展。

IT之家 7 月 16 日消息，《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称，三星电子已决定在下代 HBM 内存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。

IT之家注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。结构参见美光下图：

层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元，还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。

传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

对于三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例：其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。