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新莱应材:中芯国际2nm GAA晶体管突破,关注国产气体/真空类零部件领跑者新莱应材
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IEEE集成电路研讨会上,中芯国际展示2nm GAA晶体管原型,新莱应材在真空半导体技术领域拓展,成功应用高精密材料,实现技术与产品突破。

2025年8月6日9:00,IEEE集成电路研讨会在马来西亚布城开幕,中芯国际首次公开展示2nm GAA(Gate-All-Around)晶体管原型晶圆。 新莱应材在真空半导体产品封装最新技术GAA,III-V FinFET和Vertical等装配方案有全面的拓展。在气体系统覆盖领域,提供门阀、腔体、角阀、传输阀、真空阀、真空管道产品。针对特气控制,新莱应材成功利用316L,316L VAR, 316L VIM-VAR等高精密材料,经历了严格的认证,实现了技术与产品端突破,是国内光刻机超高真空系

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