SK海力士作为HBM4的早期量产者，凭借与英伟达的独家供应链关系和技术优势，计划大幅提高HBM4售价，预计比HBM3E高出70%。其12层HBM4单价约为500美元，远高于HBM3E的300美元，这主要得益于其在英伟达Blackwell Ultra中的HBM3E供应垄断地位及HBM4的先发优势。新一代HBM制造技术的复杂性，如采用台积电4nm工艺生产基础裸片，也推高了成本。面对竞争，三星则采取稳健策略，专注于开发成熟的1cnm DRAM技术以确保HBM4的稳定供应，力求赢得AMD和英伟达等客户的青睐，预计HBM4市场竞争将比以往更加激烈。

🚀 SK海力士凭借技术和供应链优势，计划将HBM4售价大幅推高，预计较HBM3E溢价高达70%，其12层HBM4单价已达500美元，远超HBM3E的300美元。

💡 SK海力士的定价策略得益于其在英伟达Blackwell Ultra产品组合中近乎垄断的HBM3E供应地位，以及其在HBM4领域的先发优势，同时也反映了新一代HBM制造技术的复杂性和成本增加，例如采用台积电4nm工艺生产基础裸片。

⚖️ 面对高利润HBM市场，三星正加速推进1cnm DRAM技术的开发与量产，但采取了更为稳健的策略，不盲目追求HBM4的抢先供应，而是聚焦于打造稳定可靠的成熟产品，以期赢得主要客户的长期合作。

📈 HBM4时代的临近预示着存储器制造商之间的竞争将进一步升级，预计其激烈程度将超越HBM3和HBM3E时期，市场格局有望重塑。

快科技8月6日消息，据媒体报道，作为全球最早量产HBM4的存储器制造商，SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK海力士计划提高HBM4售价，预计相比HBM3E溢价可能高达70%。

业内消息指出，今年上半年，SK海力士供应给英伟达的12层堆叠HBM4单价约为500美元，相较同规格HBM3E（约300美元）高出60%-70%。

这一强势定价源于其在英伟达Blackwell Ultra产品组合中近乎垄断的HBM3E供应地位，以及HBM4领域的先发优势。更高的价格也反映了新一代HBM制造技术的复杂性，特别是其选择台积电4nm工艺生产基础裸片（Base Die）的成本考量。

面对高利润HBM市场的激烈争夺，三星正加速推进1cnm DRAM技术的开发与量产。吸取过往经验，三星此次策略转向稳扎稳打：不盲目追求抢先供应HBM4，而是聚焦于打造一款能够实现稳定供应的成熟产品，以赢得AMD及英伟达等客户的采用，确保长期可靠收益。随着HBM4时代临近，头部厂商间的竞争态势预计将比HBM3/HBM3E时期更为激烈。