南芯科技发布第二代车规级高边开关SC77450CQ，基于国内自主研发的垂直沟道BCD集成工艺和全国产化封测供应链，打破海外技术垄断。该产品集成了功率MOSFET、逻辑驱动及保护功能，适用于汽车及工业领域，实现马达、车灯、电机等负载的智能控制。垂直沟道BCD集成工艺和合封工艺的特点在于单片晶圆级制造双极性晶体管、CMOS、DEMOS、LDMOS、VDMOS，并采用平铺或堆叠方式装入同一封装体，具有共衬底、短互连的特点，特别适合高边开关产品。

🔧 垂直沟道BCD集成工艺是一种单片晶圆级技术，在同一N型硅衬底上制造双极性晶体管(Bipolar)、CMOS、DEMOS、LDMOS、VDMOS，实现MOS与控制器的融合，打破海外技术垄断。

🛠️ SC77450CQ采用垂直BCD集成工艺平台设计，是一款四通道智能高边开关，导通电阻低至50mΩ，可实现4V-28V宽压供电、40V抛负载耐压及0.5μA待机电流，性能优越。

🔒 该产品集成了多种保护机制和精确的诊断功能，包括过流、对地短路自关断、相对过热保护和绝对过热保护、智能锁止功能、负电压钳位、关断状态开路和对电池短路检测、掉地与掉电保护、过压与欠压保护，确保设备安全稳定运行。

IT之家 8 月 4 日消息，南芯科技今日发布第二代车规级高边开关（HSD）SC77450CQ，基于国内自主研发的垂直沟道 BCD 集成工艺和全国产化封测供应链，在 N 型衬底单晶圆上实现了 MOS 与控制器的融合。

南芯科技表示，SC77450CQ 打破了海外技术垄断，是国内首颗全国产供应链垂直集成工艺的高边开关产品。

IT之家注：高边开关是一种用于汽车及工业领域的功率半导体设备，通过集成功率 MOSFET、逻辑驱动及保护功能，实现对马达、车灯、电机等负载的智能控制。

垂直沟道 BCD 集成工艺是一种单片晶圆级技术，在同一 N 型硅衬底上制造双极性晶体管 (Bipolar)、CMOS、DEMOS、LDMOS、VDMOS。合封工艺则是在封装阶段把功率器件、控制 IC 通过平铺或堆叠方式装入同一封装体，用引线完成电气连接，芯片之间保持物理独立。

集成工艺具有共衬底、短互连的特点，特别适合高边开关产品，但技术长期被海外厂商垄断；合封工艺则可以针对 MOS 管和控制器分别采用当前国产最成熟的工艺制程，电压等级可延展性更强。下图展示了集成工艺和合封工艺的原理图及关键特征对比。

针对智能高边开关产品，南芯科技基于双轨工艺演进路线，目前已推出 30 余款不同封装形式的高性能产品，并设立专门的工艺团队，与国内晶圆厂深度合作，落地第二代集成工艺高边开关。第三代南芯自研 COT 工艺平台也已启动开发，目标用于车规级产品等高端市场。

SC77450CQ 采用垂直 BCD 集成工艺平台设计，是一款四通道智能高边开关，导通电阻低至 50mΩ，可实现 4V-28V 宽压供电、40V 抛负载耐压及 0.5μA 待机电流。该产品可实现高精度电流检测，2A 时电流检测精度达 ±4%；采用带散热焊盘的 eSSOP-14 封装，引脚兼容国际竞品。

SC77450CQ 集成了保护机制和精确的诊断功能，包括过流和对地短路自关断、相对过热保护和绝对过热保护、智能锁止功能、负电压钳位、关断状态开路和对电池短路检测、掉地与掉电保护、过压与欠压保护，可多路复用模拟信号输出，实时按比例反馈各通道负载电流。