存储器大厂近期纷纷释出DDR4 DRAM停产计划，导致客户转向新供应商验证。尽管DDR4面临退出市场，但第二季终端客户的积极追单以及下半年的强劲销售动能，使得DDR4现货价格不降反升，甚至超越DDR5。分析预计，DDR4的涨价效应将持续至2025年底，而DDR5用量则会逐季增长，直到2026年第一季DDR4涨价动能才可能开始放缓。AI大模型的发展也带动了端侧AI算力需求，进一步刺激了高性能半导体硬件市场的增长。

💡 DDR4 DRAM市场正经历重大转变，主要存储器大厂陆续公布停产计划，促使客户加速转向新的供应商进行产品验证。这种供给端的减少直接影响了市场供需平衡。

📈 尽管DDR4面临淘汰，但其市场需求依然强劲。第二季度终端客户的积极追单以及下半年预期的强劲销售势头，推升了DDR4的现货价格，甚至使其价格超越了DDR5。这表明在短期内，DDR4仍具有一定的市场价值和议价能力。

⏳ 行业分析普遍认为，DDR4的涨价趋势有望持续到2025年底。与此同时，DDR5的市场用量将呈现逐季增长的态势，预计到2026年第一季度，DDR4的涨价动能才会逐渐减弱，市场重心将进一步向DDR5转移。

🚀 AI大模型的兴起是推动半导体市场需求增长的重要因素。AI算力的提升需求，尤其是在端侧AI应用方面，直接带动了高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU以及边缘计算芯片等硬件的需求增长，为整个半导体行业注入了新的活力。

据报道，存储器大厂先后释出DDR4 DRAM停产计划，无法立即升级的客户已陆续转向DDR4新供应商的验证。存储器模块业者表示，DDR4第二季终端客户追单积极，延续至下半年的销售动能仍强劲，现货价格强劲推升，甚至超过DDR5行情。预期DDR4涨价效应仍可持续到2025年底，而DDR5用量也将逐季成长，各界则推估，2026年第一季起，DDR4涨价动能逐季减缓。

AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。湘财证券指出，三星、SK海力士、美光拟退出利基型DRAM市场，利基型DRAM供需反转价格向上，2025及2026年利基型DRAM价格有望保持在中高位水平。需求端，智能手机、PC、IOT及工控板块弱复苏态势延续，叠加国产化替代仍为大势所趋，预计推动各类存储原厂端供应价格逐步上行，国内存储原厂受益。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

大为股份全资子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司主要产品有NAND、DRAM存储两大系列。DRAM产品线包含DDR3、DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5Memory module产品。

江波龙DRAM产品以DDR4、DDR5为主，涵盖了LPDDR及DDR内存条（RDIMM、SODIMM、UDIMM等）主流产品型态。