DeepTech深科技 07月29日 07:31
清华团队攻克EUV光刻胶瓶颈,用聚碲氧烷实现18nm线宽新纪录,为下一代EUV光刻胶设计奠定框架
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文章指出中国高端光刻胶市场依赖日本进口,光刻胶性能影响光刻工艺精度,强调中国在光刻技术上需加倍努力。

本月中旬,曾有外媒指出中国若想在芯片技术上取得更大进步,还需在光刻技术上加倍奋进[1]。目前,中国高端光刻胶市场主要依赖日本进口,而光刻胶作为光刻技术中核心且不可替代的关键材料,其性能直接决定了光刻工艺的精度、效率和最终器件的质量。

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