铠侠（原东芝闪存）与闪迪（原西部数据闪存）联合宣布，其第九代BiCS 9闪存已开始向客户出样。BiCS 9定位介于第八代BiCS 8和第十代BiCS 10之间，不追求BiCS 10的332层堆叠技术，而是侧重于性价比，旨在平衡性能与能效，并充分利用成熟工艺。该闪存主要面向企业级和AI应用市场。BiCS 9采用了混合架构，将独立的CMOS控制电路晶圆与NAND闪存阵列晶圆键合，形成高性能封装。新一代闪存升级了I/O接口，支持Toggle DDR 6.0，最高传输速度可达3600MT/s，峰值速度甚至达到4800MT/s。相比上一代512GB TLC闪存，BiCS 9在写入性能、能效、读取性能和存储密度方面均有显著提升。

🌟 BiCS 9闪存定位精准，平衡性能与能效，专为企业级和AI应用设计。铠侠和闪迪推出的第九代BiCS 9闪存，并未一味追求极致的技术堆叠（如BiCS 10的332层），而是将重心放在了性价比和能效上，旨在满足企业级和AI应用对稳定、高效存储的需求，充分利用成熟工艺，降低成本并提升市场竞争力。

💡 混合架构与先进接口是BiCS 9的核心优势。BiCS 9采用了先进的混合架构，将CMOS控制电路与NAND闪存阵列分开制造后再键合，类似于长江存储的技术路线，这有助于提升整体性能和设计灵活性。同时，支持Toggle DDR 6.0接口，将传输速度提升至3600MT/s，峰值速度更是高达4800MT/s，为数据密集型应用提供了强大的传输能力。

🚀 全方位性能提升，展现技术迭代的稳健步伐。与上一代512GB TLC闪存相比，BiCS 9在写入性能方面提升高达61%，能效提升36%；读取性能提升12%，能效提升27%。此外，存储密度也增加了8%。这些数据表明，BiCS 9在保持成本效益的同时，实现了技术上的稳步进步，为用户提供了更优越的存储解决方案。

🔄 BiCS 9与BiCS 10并行发展，满足不同市场需求。官方表示，BiCS 9和BiCS 10未来将持续并行发展，而非相互取代。这一定位策略能够让铠侠和闪迪更全面地覆盖从追求极致性能到注重性价比的各类市场需求，为不同客户提供最合适的产品选择。

铠侠(原东芝闪存业务)、闪迪(原西数闪存业务)联合宣布，第九代BiCS 9闪存已经开始出样给客户。BiCS 9的定位介于现有的第八代BiCS 8、未来的第十代BiCS 10之间，不像后者追求尖端技术与性能，堆叠到332层，而是更注重性价比，平衡性能与能效，充分利用成熟工艺和技术，主要面向企业级、AI应用。

未来，BiCS 9/10将会持续并行发展，不存在彼此取代关系。

BiCS 9还采用了混合架构，首先单独制造CMOS控制电路晶圆、NAND闪存阵列晶圆，然后键合在一起，形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。

BiCS 9在第五代BiCS 5(112层)和第八代BiCS 8(218层)的基础上，升级更先进的I/O接口， 尤其是支持Toggle DDR 6.0，因此最高传输速度达到3600MT/s，特殊测试环境下的峰值甚至高达4800MT/s。

对比此前的512GB TLC闪存，BiCS 9仍然有着全面的提升：

写入性能提升最多61％、能效提升最多36％，读取性能提升最多12％、能效提升最多27％，另外存储密度也增加了8％。

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