铠侠（原东芝闪存业务）与闪迪（原西部数据闪存业务）联合宣布，其第九代BiCS 9闪存已开始向客户出样。BiCS 9定位于介于第八代BiCS 8和第十代BiCS 10之间，更侧重于性价比，在性能与能效之间寻求平衡，并充分利用成熟工艺技术，主要面向企业级和AI应用市场。未来，BiCS 9和BiCS 10将并行发展，互不取代。BiCS 9采用了混合架构，将CMOS控制电路晶圆与NAND闪存阵列晶圆分开制造后键合，并升级了I/O接口，支持Toggle DDR 6.0，最高传输速度可达3600MT/s，峰值甚至达到4800MT/s。相较于前代产品，BiCS 9在写入性能、能效、读取性能和能效方面均有显著提升，存储密度也增加了8%。

💡 BiCS 9闪存定位与目标市场：铠侠与闪迪推出的第九代BiCS 9闪存，介于BiCS 8和BiCS 10之间，不追求极致技术，而是侧重于性价比，旨在平衡性能与能效，主要面向企业级和AI应用市场，利用成熟工艺实现成本效益。

🚀 BiCS 9的技术架构与接口升级：BiCS 9采用了创新的混合架构，将CMOS控制电路与NAND闪存阵列分别制造后再进行键合，形成高性能封装。同时，其I/O接口得到显著升级，支持Toggle DDR 6.0，最高传输速度达到3600MT/s，在特殊测试环境下峰值可达4800MT/s，提升了数据传输效率。

📊 BiCS 9的性能与能效提升：与前代512GB TLC闪存相比，BiCS 9实现了全面的性能提升。写入性能最高提升61%，能效最高提升36%；读取性能最高提升12%，能效最高提升27%。此外，存储密度也增加了8%，为用户提供更高效、更经济的存储解决方案。

铠侠(原东芝闪存业务)、闪迪(原西数闪存业务)联合宣布，第九代BiCS 9闪存已经开始出样给客户。BiCS 9的定位介于现有的第八代BiCS 8、未来的第十代BiCS 10之间，不像后者追求尖端技术与性能，堆叠到332层，而是更注重性价比，平衡性能与能效，充分利用成熟工艺和技术，主要面向企业级、AI应用。

未来，BiCS 9/10将会持续并行发展，不存在彼此取代关系。

BiCS 9还采用了混合架构，首先单独制造CMOS控制电路晶圆、NAND闪存阵列晶圆，然后键合在一起，形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。

BiCS 9在第五代BiCS 5(112层)和第八代BiCS 8(218层)的基础上，升级更先进的I/O接口， 尤其是支持Toggle DDR 6.0，因此最高传输速度达到3600MT/s，特殊测试环境下的峰值甚至高达4800MT/s。

对比此前的512GB TLC闪存，BiCS 9仍然有着全面的提升：

写入性能提升最多61％、能效提升最多36％，读取性能提升最多12％、能效提升最多27％，另外存储密度也增加了8％。