铠侠与闪迪联合宣布，第九代BiCS 9闪存已开始向客户出样。BiCS 9定位介于BiCS 8和BiCS 10之间，不追求极致堆叠层数（332层），而是侧重于性价比、性能与能效的平衡，旨在满足企业级和AI应用的需求。该技术采用混合架构，将CMOS控制电路与NAND闪存阵列分离制造后键合，并支持Toggle DDR 6.0接口，最高传输速度可达3600MT/s，峰值可达4800MT/s。相较于上一代，BiCS 9在写入性能、能效、读取性能及存储密度方面均有显著提升。

🌟 **定位与目标市场：** 第九代BiCS 9闪存并非追求最尖端技术和最高堆叠层数（如BiCS 10的332层），而是采取更为务实的策略，定位于现有的第八代BiCS 8和未来的第十代BiCS 10之间。其核心目标是提供更高的性价比，在性能和能效之间实现最佳平衡，主要面向对成本敏感但对性能有一定要求的企业级应用以及快速发展的AI应用场景。

💡 **混合架构与接口升级：** BiCS 9采用了创新的混合架构，将独立的CMOS控制电路晶圆与NAND闪存阵列晶圆分别制造，再进行键合处理，形成一个集成的、高性能的封装。这一设计类似于长江存储的实现方式。此外，BiCS 9在I/O接口方面进行了重要升级，特别是引入了对Toggle DDR 6.0的支持，使得最高传输速度能够达到3600MT/s，在特殊测试环境下甚至能突破至4800MT/s，显著提升了数据传输效率。

🚀 **性能与能效全面提升：** 与上一代的512GB TLC闪存相比，BiCS 9在多个关键指标上都展现出显著的进步。写入性能最高提升可达61%，能效提升最高达36%；读取性能最高提升12%，能效提升最高达27%。同时，其存储密度也增加了8%，意味着在相同的物理空间内可以存储更多数据，进一步提升了产品的竞争力。

快科技7月28日消息，铠侠(原东芝闪存业务)、闪迪(原西数闪存业务)联合宣布，第九代BiCS 9闪存已经开始出样给客户。

BiCS 9的定位介于现有的第八代BiCS 8、未来的第十代BiCS 10之间，不像后者追求尖端技术与性能，堆叠到332层，而是更注重性价比，平衡性能与能效，充分利用成熟工艺和技术，主要面向企业级、AI应用。

未来，BiCS 9/10将会持续并行发展，不存在彼此取代关系。

BiCS 9还采用了混合架构，首先单独制造CMOS控制电路晶圆、NAND闪存阵列晶圆，然后键合在一起，形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。

BiCS 9在第五代BiCS 5(112层)和第八代BiCS 8(218层)的基础上，升级更先进的I/O接口， 尤其是支持Toggle DDR 6.0，因此最高传输速度达到3600MT/s，特殊测试环境下的峰值甚至高达4800MT/s。

对比此前的512GB TLC闪存，BiCS 9仍然有着全面的提升：

写入性能提升最多61％、能效提升最多36％，读取性能提升最多12％、能效提升最多27％，另外存储密度也增加了8％。