芝奇推出专为AMD新一代线程撕裂者PRO工作站CPU打造的T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超频内存套装。该内存套装集512GB大容量与CL38低延迟于一身，采用16层DDR5 R-DIMM PCB，提升速度和信号完整性。支持AMD EXPO超频技术，适用于数据中心、AI、机器学习及科学运算等高性能场景。为确保稳定性，内存模组配备了TVS二极管与SMT保险丝的双重防护设计。该内存已通过与AMD线程撕裂者PRO 9945WX处理器及ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE主板的烧机测试，将于8月全球上市。

🚀 **超大容量与低延迟的融合：** 芝奇T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超频内存套装，提供了前所未有的512GB总容量，并实现了CL38的低延迟，为高端工作站和计算密集型任务提供了强大的内存支持，满足专业用户对速度和容量的双重需求。

💡 **先进PCB设计与信号优化：** 该内存采用芝奇最新的16层DDR5 R-DIMM PCB设计，相较于传统的8层或10层板，显著提升了内存速度，强化了信号完整性，并有效降低了信号干扰，确保在高负载运行下依然能够实现稳定高效的数据传输。

⚙️ **AMD EXPO技术与广泛应用：** 内存套装支持AMD EXPO超频技术，使其能够与AMD Ryzen平台完美兼容，特别适用于企业级或个人使用的数据运算中心、人工智能、机器学习平台以及各类高性能科学运算环境，极大地提升了工作效率。

🛡️ **多重安全防护机制：** 为了保障内存模组的稳定运行，芝奇T5 Neo DDR5内存引入了先进的保护机制，每个模组都配备了高质量的瞬态电压抑制（TVS）二极管与表面黏着技术（SMT）保险丝，形成了稳固的双重防护，有效防止瞬态电压突波和静电放电（ESD）。

快科技7月24日消息，随着AMD新一代线程撕裂者PRO工作站CPU发售，芝奇正式推出了专为该处理器打造的T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超频内存。

据介绍，本次推出的T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 超高规格套装，结合了512GB大容量及CL38低延迟的梦幻组合。

该内存采用芝奇最新16层DDR5 R-DIMM PCB，相较于传统的8层或10层板设计，可有效提升内存速度、强化信号完整性、并降低信号干扰，即使在高负载下也能确保稳定高效数据传输。

该内存还引入了AMD EXPO超频技术，适用于企业级或个人使用的数据运算中心、人工智能、与机器学习平台，或各类高效能科学运算环境。

由于模组需直接从主板获取12V电压输入，因此在设计上引入了先进的保护机制，为防止瞬态电压突波与静电放电 (ESD)，每个模组均配备高质量瞬态电压抑制 (TVS) 二极管与表面黏着技术 (SMT) 保险丝，形成稳固的双重防护设计。

目前该内存搭配最新AMD线程撕裂者PRO 9945WX处理器及ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE主板通过烧机测试，以下为测试截图：

芝奇全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超频内存套装将于今年8月于全球各地陆续开售，具体价格暂未公布。

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责任编辑：黑白

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