长鑫存储作为国内主要的DRAM芯片制造商，已完成向DDR5/LPDDR5芯片的技术切换，并逐步减少DDR4出货量，将重心转向DDR5。然而，其DDR5量产计划面临挑战，主要归因于制程工艺相对落后，导致芯片面积增大、成本提高，良品率及稳定性有待提升。虽然部分技术问题已解决，但目前良品率仅50%左右，离大规模生产目标尚有差距。预计长鑫存储的DDR5芯片要到2025年末才能进入稳定的大规模生产阶段，但其DDR5技术已追平南亚科技，正逐步缩小与领先厂商的差距。

🚀 技术升级与重心转移：长鑫存储已完成DDR5/LPDDR5技术切换，并逐步减少DDR4出货，将重心全面转向DDR5，旨在提升市场竞争力。

⚙️ 制程工艺瓶颈：目前用于生产DDR5的第四代DRAM节点技术相对落后，导致芯片面积比三星同类产品大约40%，显著增加了制程成本，不利于大规模量产。

💡 良品率与稳定性挑战：DDR5芯片的品质和良品率尚未达到理想水平，早期测试显示在极端温度环境下存在稳定性问题，迫使长鑫存储修改芯片设计以提升可靠性。

⏳ 量产时间线延后：原计划在2025年5月或6月实现DDR5大规模量产，但截至目前尚未实现，良品率徘徊在50%左右，预计稳定大规模生产需等到2025年末。

📈 追赶与进步：尽管面临挑战，长鑫存储的DDR5技术已达到南亚科技的水平，正在努力缩小与行业领先DRAM厂商的差距。

快科技7月24日消息，据媒体报道，作为国内最大的DRAM芯片制造商，也是唯一能生产DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商，长鑫存储（CXMT）在今年初完成了向DDR5/LPDDR5芯片的技术切换。

近期，长鑫存储正逐步减少DDR4出货量，将重心转向DDR5，并计划升级工艺以提高产量。然而，其DDR5量产计划似乎遇到了阻碍。

主要问题在于其生产DDR5所使用的制程工艺相对落后。长鑫存储采用了其第四代DRAM节点技术来制造DDR5，导致芯片面积比三星同类产品大出约40%，成本显著提高，不利于大规模量产。更关键的是，该工艺下的芯片品质和良品率仍未达到理想水平。

成本之外，可靠性也是挑战。早期测试发现，其DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题。为此，长鑫存储不得不重新修改芯片设计以提升可靠性。

此前业内普遍预期长鑫存储将在2025年5月或6月开始DDR5的大规模量产，但截至7月，大规模出货尚未实现。尽管部分技术问题已得到解决，但良品率仍徘徊在50%左右，远未达到大规模生产的理想要求。

尽管如此，长鑫存储的DDR5技术已追平南亚科技的水平，正在缩小与领先DRAM厂商的差距。综合当前进展，预计长鑫存储的DDR5芯片要到2025年末才能进入稳定的大规模生产阶段。