清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料领域取得突破，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶。该材料成功解决了当前EUV光刻技术面临的EUV光源反射损耗大、亮度低等挑战，通过将高EUV吸收元素碲引入聚合物骨架，实现了高吸收和高灵敏度的正性显影。该光刻胶采用单组分小分子聚合，结构简洁且组分均一，有望提升灵敏度、降低缺陷和线边缘粗糙度，为下一代EUV光刻胶的开发提供了新的设计策略和可行路径，对先进半导体工艺技术革新具有重要意义。

💡 **新型EUV光刻胶的创新设计**：清华大学许华平教授团队基于聚碲氧烷开发了一种新型EUV光刻胶，成功将高EUV吸收元素碲通过Te–O键引入高分子骨架。这种设计利用了碲优异的EUV吸收能力和较低的Te–O键解离能，实现了高吸收和高灵敏度的正性显影，满足了先进半导体制造对EUV光刻材料的更高要求。

🎯 **解决EUV光刻技术痛点**：传统EUV光刻胶在灵敏度、吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面存在挑战。该新型光刻胶通过简洁的分子设计，整合了高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和小构筑单元等理想特性，有望显著提升灵敏度，降低缺陷和线边缘粗糙度，突破现有技术的局限性。

🚀 **推动半导体工艺技术革新**：该研究提出的融合高吸收元素、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径，为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行策略。这不仅有望推动EUV光刻材料的进一步发展，更能为先进半导体工艺技术向更先进的7nm及以下节点推进提供关键材料支持，助力半导体行业的持续革新。

🔬 **材料均一性与构筑单元的重要性**：文章强调了理想EUV光刻胶应具备分子均一性和尽可能小的构筑单元。清华团队开发的聚碲氧烷光刻胶由单组分小分子聚合而成，满足了这一要求，这对于提高光刻精度、减少随机性缺陷以及实现更精细的图案至关重要。

快科技7月24日消息，据清华大学官网介绍，日前，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。

随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，13.5nm波长的EUV光刻成为核心技术。

但EUV光源反射损耗大、亮度低，对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面提出更高要求。

现有EUV光刻胶多依赖化学放大或金属敏化团簇提高灵敏度，但往往结构复杂、组分不均、易扩散，容易引入缺陷。

学界认为，理想的EUV光刻胶应具备四项特性：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和尽可能小的构筑单元，以提升灵敏度、降低缺陷和线边缘粗糙度。

聚碲氧烷：理想的EUV光刻胶材料

许华平团队基于此前发明的聚碲氧烷，开发出一种全新EUV光刻胶，满足上述条件。

研究中，团队将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te–O键引入高分子骨架，利用碲优异的EUV吸收能力和较低的Te–O键解离能，实现高吸收、高灵敏度的正性显影。

这一光刻胶由单组分小分子聚合而成，在简洁设计下整合理想特性，为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行路径。

清华大学表示，该研究提出的融合高吸收元素Te、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。